<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Advances in Skin, Wound and Tissue Repair</title>
<title_fa>Advances in Skin, Wound and Tissue Repair</title_fa>
<short_title>ASWTR</short_title>
<subject>Medical Sciences</subject>
<web_url>http://icml.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>105</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>journal105</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn></journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>3116-1677</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii></journal_id_pii>
<journal_id_doi>10.61882/aswtr</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid></journal_id_sid>
<journal_id_nlai></journal_id_nlai>
<journal_id_science></journal_id_science>
<language>en</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1399</year>
	<month>11</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2021</year>
	<month>2</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>17</volume>
<number>4</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>مطالعۀ تأثیر دما و طول پالس در تحریک عصبی فروسرخ</title_fa>
	<title>The study of the effect of temperature and pulse duration during infrared neural stimulation</title>
	<subject_fa>عمومى</subject_fa>
	<subject>General</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;div style=&quot;text-align: justify;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;line-height:2;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:Tahoma;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:14px;&quot;&gt;&lt;strong&gt;مقدمه:&lt;/strong&gt; یکی از روش&#8204;های جدید در بررسی فعالیت&#8204;های عصبی استفاده از نور لیزر فروسرخ است. با توجه به بازده بالای نور - گرمایی در ناحیۀ طیف فروسرخ، استفاده از خاصیت نور - گرمایی می&#8204;تواند باعث تأثیرگذاری بر سیستم عصبی شود. در این مقاله ما به بررسی ساز&#8204;و&#8204;کار تحریک عصبی فروسرخ و دو عامل میزان تغییرات دما و اندازۀ طول پالس بر آن می&#8204;پردازیم.&lt;span style=&quot;font-size:11.5pt;&quot;&gt;&lt;/span&gt;&lt;br&gt;
&lt;strong&gt;روش بررسی:&lt;/strong&gt; برای شبیه&#8204;سازی بافت&#8204;های عصبی و بررسی تأثیر خاصیت نور - گرمایی بر آن&#8204;ها دو نوع آکسون مایلین&#8204;دار و غیرمایلین&#8204;دار را با استفاده از نرم&#8204;افزار طراحی عصبی نورون طراحی کردیم و با فرض ظرفیت غشاء به عنوان یک پارامتر متغیر وابسته به دما به بررسی اندازه&#8204;های مختلف میزان تغییرات دما در طول&#8204;های زمانی مختلف پرداختیم و با اعمال آن به نمونۀ عصبی مورد نظر پاسخ عصبی آن&#8204;ها را ثبت کردیم. پاسخ&#8204;های عصبی شامل میزان تولید جریان الکتریکی توسط پالس فروسرخ، میزان تغییرات ولتاژ و امکان تولید پتانسیل عمل و همچنین واکنش کانال&#8204;های سدیم و پتاسیم به این تغییرات دما بودند.&lt;br&gt;
&lt;strong&gt;یافته&#8204;ها:&lt;/strong&gt; با اعمال تغییرات دما در اندازه&#8204;های متفاوت به آکسون مایلین&#8204;دار طراحی&#8204;شده مشخص شد که آستانۀ دمایی برای تحریک عصبی این نوع آکسون&#8204;های عصبی با افزایش دمای 5/10 درجۀ سانتی&#8204;گراد اتفاق می&#8204;افتد به این صورت که تغییر 4/10 درجۀ سانتی&#8204;گرادی دما بر روی نمونه باعث تغییرات ولتاژ بسیار اندک شد اما، با افزایش دمای 5/10 درجۀ سانتی&#8204;گراد پتانسیل عمل با موفقیت تولید شد در حالی که میزان تفاوت میزان جریان الکتریکی تولید&#8204;شده توسط آن&#8204;ها در حدود 130 میکروآمپر بود. در آکسون غیرمایلین&#8204;دار تغییرات دما به اندازۀ 5، 7/6، 9/6 و 10 درجۀ سانتی&#8204;گراد به نمونۀ طراحی&#8204;شده اعمال شد و مشاهده شد که در دماهای کمتر از 9/6 درجۀ سانتی&#8204;گراد امکان تولید پتانسیل عمل وجود ندارد. برای بررسی تأثیر طول پالس بر میزان تحریک عصبی، 10 درجۀ سانتی&#8204;گراد افزایش دما که در پالس 1 میلی&#8204;ثانیه&#8204;ای موفق به تولید پتانسیل عمل شده بود را در پالس&#8204;هایی با طول زمانی 2، 3، 4 و 5 میلی&#8204;ثانیه&#8204;ای دوباره اعمال کردیم و مشاهده کردیم که در پالس&#8204;های بیش از 3 میلی&#8204;ثانیه تغییرات گرما نمی&#8204;تواند به عنوان یک عامل محرک عصبی موفق عمل کند. در مورد تأثیر افزایش دما بر روی کانال&#8204;های یونی یک پالس یک میلی&#8204;ثانیه&#8204;ای با افزایش 10 درجۀ سانتی&#8204;گراد دما اعمال کردیم که باعث فعال&#8204;سازی هر دو کانال یونی سدیم و پتاسیم شد اما، مشاهده شد که کانال یونی پتاسیم در حدود 155 میکروثانیه دیر&#8204;تر فعال می&#8204;شود.&lt;br&gt;
&lt;strong&gt;نتیجه&#8204;گیری:&lt;/strong&gt; نتایج به دست آمده نشان داد که تغییر دما عامل اصلی در ایجاد تحریک عصبی فروسرخ است اما، به تنهایی نمی&#8204;تواند باعث تحریک عصبی و در نتیجه تولید پتانسیل عمل شود. اندازۀ&#8204; تغییر دما باید به حدی باشد که از آستانۀ دمایی تحریک عصبی عبور کرده باشد و به صورت همزمان، این تغییر دما باید در مدت زمانی کمتر از آستانۀ&#8204; تحریک زمانی اتفاق بیفتد. در صورتی که این شرایط در هنگام فرآیند تحریک عصبی فروسرخ برقرار نباشد، تولید پتانسیل عمل ممکن نخواهد بود.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:Times New Roman,serif;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.5pt;&quot;&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/div&gt;</abstract_fa>
	<abstract></abstract>
	<keyword_fa>تحریک عصبی فروسرخ, نورون, ظرفیت غشاء</keyword_fa>
	<keyword></keyword>
	<start_page>12</start_page>
	<end_page>20</end_page>
	<web_url>http://icml.ir/browse.php?a_code=A-10-151-107&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Hasan</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Tajarehnejad Abdollahi</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>حسن</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>تجره‌نژاد عبداللهی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>1050031947532846003452</code>
	<orcid>1050031947532846003452</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Laser and Plasma research institute, Shahid Beheshti University, Tehran, Iran</affiliation>
	<affiliation_fa>پژوهشکدۀ لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>MohammadAli</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Ansari</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>محمد‌علی</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>انصاری</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>m_ansari@sbu.ac.ir</email>
	<code>1050031947532846003453</code>
	<orcid>1050031947532846003453</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>, Laser and Plasma research institute, Shahid Beheshti University, Tehran, Iran</affiliation>
	<affiliation_fa>پژوهشکدۀ لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
